积塔半导体7.2亿元成立新公司，深化半导体产业链布局

近日，上海积塔创能半导体有限公司正式宣告成立，注册资本高达7.2亿元人民币，法定代表人为王辉。该公司由上海积塔半导体有限公司全资控股，位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云汉路979号2楼，标志着积塔半导体在半导体产业链上的布局迈出了重要一步。

上海积塔创能半导体有限公司的经营范围广泛，涵盖半导体分立器件销售、电力电子元器件销售、电子元器件批发与零售、技术服务与开发、电子产品及计算机软硬件的销售与技术支持、信息系统集成服务，以及货物与技术进出口等多项业务。

母公司背景

上海积塔半导体有限公司作为积塔创能的母公司，成立于2017年，专注于集成电路芯片特色工艺的研发与生产制造。公司为汽车电子、工业控制和高端消费电子领域提供微控制器、模拟电路、功率器件、传感器等核心芯片特色工艺制造平台和技术服务。积塔半导体自成立以来，已获得包括上汽集团、中微公司、华大半导体等在内的多家产业资本投资，并持续扩大在功率半导体和车规芯片领域的产能与技术投入。

目前，积塔半导体在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计30万片/月（折合8英寸计算），其中6英寸7万片/月、8英寸12万片/月、12英寸6万片/月、碳化硅1万片/月，展现了强大的生产制造能力。值得一提的是，其临港生产基地是国家重点支持的集成电路项目之一，具备成熟的车规级芯片制造能力。

技术实力与创新

在技术层面，积塔半导体长期深耕功率IGBT工艺，积累了丰富的开发经验和量产经验。公司已成功开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面场终止型IGBT，以及600V~1700V沟槽高能场终止型IGBT。这些技术的产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、变频器、焊机、智能电网、机车拖动等领域，体现了积塔半导体在功率IGBT工艺上的领先地位。

此外，积塔半导体在第三代半导体领域也早早布局，是国内较早具备碳化硅（SiC）功率器件制造能力的企业。其工艺技术平台覆盖多种类型，已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V碳化硅JBS工艺平台和MOSFET工艺平台。2023年底，积塔半导体与安建半导体达成合作，进一步加速平面型碳化硅MOS器件开发，并携手迈进新一代沟槽型碳化硅MOS器件开发，后者在成本和性能方面具有更强优势。

未来展望

此次设立积塔创能，被业内视为积塔半导体在当前国产替代加速、新能源汽车与工业智能化需求高涨背景下，进一步整合资源、拓展市场渠道的战略举措。通过新公司开展元器件销售与技术服务，有望打通“制造—销售—应用”闭环，提升客户响应效率与整体解决方案能力。

分析人士指出，在国家大力支持集成电路产业发展的政策环境下，积塔半导体此举不仅有助于巩固其在功率半导体和车规芯片领域的领先地位，也将为上海临港新片区打造世界级集成电路产业集群注入新动能。

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