合科泰高性能NMOS管HKTD80N06:技术规格与应用价值解析
关键词: HKTD80N06 N型功率MOS管 合科泰 高性能NMOS管
引言
HKTD80N06是合科泰用先进沟槽工艺研发的高性能N型功率MOS管,专门为工业电源、电机驱动、新能源设备等对效率和可靠性要求高的功率相关电子设备设计。它的核心优势是把低导通电阻、强电流承载能力和快开关速度结合起来,既能满足中高压功率转换的需求,又能通过优化的散热和结构设计,适配紧凑的PCB电路板布局和恶劣的工作环境,为各类功率管理系统提供稳定、高效的解决方案。
电气性能
从电气性能来看,HKTD80N06的功率表现很突出。它的漏极和源极之间的电压额定值达60伏特,能适配大部分中低压功率应用场景;持续通过漏极的电流高达80安培,长期工作时能稳定驱动高负载设备,而短时间脉冲状态下通过漏极的电流可达240安培,能应对瞬间的高负载冲击,避免突发电流波动导致器件损坏;100瓦特的功率损耗进一步保障了器件在高功率输出时的稳定性,减少因功率过载引发的性能下降。这些参数让HKTD80N06在工业电机驱动、大功率开关电源等场景中很适用,不用额外设计复杂的功率分流电路,能简化系统结构。
导通性能
导通性能是HKTD80N06实现低损耗的关键。在栅极电压10伏特、漏极电流20安培的测试条件下,它导通时漏极和源极之间的电阻最大只有8毫欧,这么低的电阻能大幅减少电流通过时的功率损耗,直接提升整个系统的能效。以工业电源应用为例,HKTD80N06可使导通损耗降低,长期使用能明显减少设备发热。同时,让管子开始导通的栅极电压范围在2.0伏特到4.0伏特之间,能兼容大部分通用驱动芯片的输出电压,不用额外设计栅极升压电路;15西门子的正向跨导确保了栅极电压变化时,漏极电流的响应灵敏度高,能精准控制漏极电流,避免电流波动导致负载运行不稳定。
开关性能优化
开关性能的优化让HKTD80N06适合高频功率转换场景。在电源电压25伏特、漏极电流20安培、栅极电阻1.8欧姆的测试条件下,它打开时的延迟时间仅13纳秒,关掉时的延迟时间为35纳秒,电流从低到高的时间和从高到低的时间分别低至7.8纳秒和15纳秒,快开关速度能减少管子在开关切换过程中的过渡损耗,尤其适合500千赫兹以上的高频开关电源设计。此外,驱动栅极需要的总电荷为30纳库仑,栅极到漏极的电荷为15纳库仑,这进一步降低了栅极驱动电路的设计难度。较少的栅极电荷意味着需要的驱动电流更低,能选用更小的驱动芯片,同时减少驱动回路的功率损耗。
散热及环境适应
散热性能和环境适应能力是应对恶劣工作条件的重要保障。它的芯片核心温度范围覆盖-55摄氏度到+150摄氏度,不管是低温严寒的户外设备场景,还是高温密闭的工业控制柜环境,都能保持稳定性能。同时,TO-252外壳兼顾了散热效率和安装便利性,能适配高密度的PCB电路板布局,尤其适合对空间要求严格的设备设计。
总结
HKTD80N06在设计上,加入了多项针对性优化,采用高密度的内部单元设计和先进沟槽工艺,通过减少栅极电荷和寄生电容优化栅极设计,它具备完全表征的应对电压尖峰的能力,单脉冲雪崩能量达180毫焦,能适配工业控制、新能源汽车辅助电源等对可靠性要求极高的场景。作为合科泰功率器件系列的重要产品,HKTD80N06不仅在技术参数上满足多样化的应用需求,还通过“性能-成本-易用性”的平衡设计,为客户提供高性价比的解决方案。
公司介绍
合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务,满足企业研发需求。
产品供应品类:覆盖半导体封装材料、电阻/电容/电感等被动元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件,电源管理IC及其他,一站式配齐研发与生产所需。
两大智能生产制造中心:华南和西南制造中心(惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡)配备共3000多台先进设备及检测仪器;2024年新增3家半导体材料子公司,从源头把控产能与交付效率。
提供封装测试OEM代工:支持样品定制与小批量试产,配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系,让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。
合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心,为企业提供稳定可靠的元件。
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