日本36亿美元补贴美光科技广岛工厂，押注尖端存储芯片

近日，日本经济产业省（METI）宣布一项重大产业政策：将向美国存储巨头美光科技（Micron）位于广岛县东广岛市的DRAM工厂提供总额高达5360亿日元（约合36.3亿美元）的巨额补贴。

这笔投资不仅是对美光扩建计划的强力支持，更是日本在全球半导体产业竞争中下出的关键一步棋，旨在夺回在尖端存储芯片领域的战略主动权。

根据公告，这笔补贴分为两大部分。其核心是5000亿日元，用于支持美光斥资1.5万亿日元的工厂扩建项目，这笔资金将直接补贴美光总投资的三分之一，目标是量产下一代DRAM内存芯片。此外，还有360亿日元专门用于支持美光在日本的研发活动，以加速高性能存储器技术的开发。

美光日本存储器研发事业部高级副总裁Shigeru Shiratake对此表示感谢，并强调这笔拨款将“进一步加快面向AI时代的高性能存储器解决方案的开发”。

日本此举背后，是其重塑半导体强国地位的迫切战略需求。曾几何时，日本在DRAM领域拥有绝对的统治力，东芝、NEC、日立等企业是全球市场的领导者。然而，随着韩国和美国企业的崛起，以及日本自身在产业转型中的失误，其在尖端存储芯片领域的份额急剧萎缩，供应链严重依赖海外。

尤其是在中美科技摩擦加剧、全球供应链面临重构的背景下，确保关键半导体，特别是作为AI、数据中心、高性能计算“血液”的尖端DRAM的本土化生产能力，对日本的经济安全和产业竞争力至关重要。

选择与美光合作，是日本政府深思熟虑的结果。美光作为全球三大DRAM供应商之一，拥有顶尖的技术实力和量产经验。通过引入美光，日本可以快速建立起一条世界一流的DRAM生产线，避免了从零开始研发的漫长周期和巨大风险。

此次补贴的核心目标明确指向“下一代DRAM”和“高性能存储器”，这与当前AI技术的爆炸性发展紧密相连。现代AI大模型的训练和推理需要处理海量数据，对内存的带宽、容量和能效提出了前所未有的要求。高带宽存储器（HBM）等尖端DRAM技术已成为AI芯片（如GPU）性能的关键瓶颈。通过支持美光在广岛生产最前沿的DRAM，日本意在将自己嵌入到全球AI产业链的核心环节。

这笔巨额补贴，不仅将巩固美光在全球存储市场的地位，更将重塑东亚半导体产业的地理版图。

日本政府对半导体产业的支持不仅限于美光，还包括台积电和Rapidus Corp等公司，目标是2027年生产2纳米芯片。日本政府的这些举措旨在提升其在半导体领域的自主能力，并应对全球供应链的紧张局势。

责编：Jimmy.zhang