美光暂停报价，DRAM价格应声上涨30%

据多方信源披露，美光科技已正式向客户群体发布通知，即日起全面暂停DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等主流非HBM DRAM内存产品的报价服务，初始暂停周期暂定为一周。

台媒《经济日报》报道称，美光管理层在深入分析客户 FCST(需求预测)数据后，认为市场存在严重的供应缺口，随即作出暂停全品类报价、重新校准产品定价策略的紧急决策。行业预测显示，本次价格调整后，相关产品价格或将出现20%-30%的上浮区间。其中，汽车电子领域存储产品的价格涨幅尤为显著，预计可达70%，涵盖消费级、工业级等全应用场景。

从产业经济学视角分析，美光此次调价本质上是应对AI推理技术快速发展带来的存储产品结构性变革。随着AI技术从模型训练向推理计算及边缘设备部署延伸，大容量存储芯片需求呈现爆发式增长，而供应链产能释放滞后导致供需矛盾加剧。这一市场基本面变化，直接驱动美光采取报价暂停与价格重构措施。目前，全球NAND年消耗量约为800–1000 EB，其中服务器在2025年约占30%。随着高容量企业级SSD的采用率提升，供需格局将被重塑，并推动对QLC NAND的需求增长。

值得注意的是，此前西部数据(Western Digital)旗下闪迪(SanDisk)已率先上调NAND Flash产品报价10%，台湾NAND控制器厂商慧荣科技也已暂停更新报价，等待NAND供应商进一步指引。业内普遍认为，这一举动是价格谈判前的早期步骤，显示出涨价共识正在形成，而具体涨幅将在2025年第四季度合约谈判前后逐渐明朗。

根据集邦咨询(TrendForce)数据，2025年第二季度全球DRAM产业实现总收入316.3亿美元，环比增长17.1%。但市场增长呈现显著技术分化特征：高带宽存储(HBM)产品出货量同比激增65%，推动SK海力士在DRAM市场占有率超越三星电子跃居首位；反观消费级存储市场，需求疲软态势仍在持续。美光此次价格策略调整，正是对上述市场结构性变化的战略性回应。

自2025年起，全球存储产业巨头产能调控策略一直处于动态变化之中，三星电子、SK海力士、美光科技等五大NAND Flash原厂协同实施10%-15%的产能削减计划，致使行业产能利用率降至70%-75%，单季减少约30万片等效12英寸晶圆产出。在供给侧主动收缩叠加AI需求爆发的双重作用下，第二季度NAND Flash合约价格环比上涨3%-8%，企业级固态硬盘(SSD)价格涨幅达10%。

此次美光报价策略调整，对下游电子制造企业，包括消费电子、工业控制、汽车电子等领域厂商来说，意味着需要重新评估成本结构并调整产品定价体系。同时，也不排除引发行业连锁反应，推动其他存储芯片厂商跟进价格调整，进而重塑市场竞争格局的可能性。