2025充电宝新规落地：合科泰MOSFET如何赋能充电宝能效革命？
关键词： 充电宝新国标 SGT工艺 MOSFET 同步整流 合科泰半导体
引言：新规驱动下的技术升级
2025年8月实施了充电宝新国标，其核心指标包括额定输出容量大于90%，这个变化提高了电源转换效率要求，把原本的隐性需求转变成了硬性要求。合科泰半导体基于自主研发的SGT工艺平台，推出了HKTQ65N03、HKTG50N03等明星产品，通过技术突破实现能效提升，助力客户轻松应对新规挑战。
SGT工艺：低损耗的核心密码
合科泰SGT工艺采用0.18μm沟槽刻蚀技术，在30V耐压等级实现3.8mΩ的导通电阻，关键突破点包括：
1. 三维栅极结构
沟槽深度达1.2μm，沟道密度提升至1.2e12 cm⁻²
引入屏蔽栅极降低栅漏电容Cgd，开关损耗减少35%
8nm超薄栅氧层（击穿场强10MV/cm），栅极电荷Qg=18nC@10V
2. 封装热管理
PDFN3333封装采用0.8mm厚铜漏极焊盘，热阻RθJA=60℃/W
双面散热设计支持20A持续电流，结温控制在125℃以内
3. 可靠性强化
-55℃~150℃全温域参数漂移小于等于5%
1000次温度循环测试后，导通电阻变化率小于3%
合科泰SGT MOSFET在同步整流中的应用示例
核心产品与场景化应用
1. HKTQ65N03：VBUS协议开关的理想选择
参数：30V/65A，RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V，PDFN3333封装
应用：USB PD协议VBUS路径控制
优势：30V耐压满足20V输出的电压余量要求；3.8mΩ导通电阻在5V/2A场景下损耗仅72mW；支持1MHz开关频率，适配PD3.1 EPR标准
2. HKTG50N03：同步整流的能效标杆
参数：30V/50A，RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V，PDFN5x6封装
应用：20W-65W快充次级同步整流
优势：SGT工艺实现6.8mΩ超低导通电阻；反向恢复时间Trr=25ns，高频特性优异；5x6mm封装支持双面散热，持续电流达50A
3. HKTD50N06：BMS保护开关的可靠之选
参数：60V/50A，RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V，TO-252封装
应用：锂电池放电保护开关
优势：60V耐压适配多串电池组；13.5mΩ平衡损耗与成本；通过10mJ雪崩能量测试
选型指南与设计建议
1. 功率分级选型
10W以下：HKTQ30N03（30V/30A/5.3mΩ）
10W-30W：HKTG50N03（同步整流）+ HKTQ65N03（VBUS开关）
30W以上：HKTD50N06（BMS保护）+ HKTG50N03（同步整流）
2. layout设计要点
VBUS路径采用2oz铜厚，宽度≥2mm
MOSFET漏极焊盘面积≥4mm²
栅极串联10Ω电阻抑制震荡
结语：以技术创新应对能效挑战
合科泰SGT工艺MOSFET通过低导通电阻、高频开关特性和优异散热设计，为充电宝厂商提供从协议控制到能量转换的全链路解决方案。HKTQ65N03与HKTG50N03等MOS管助力通过新规能效测试，输出容量达标率提升至95%以上。如需获取技术支持，可联系合科泰FAE团队。
公司介绍
合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务，满足企业研发需求。
产品供应品类：覆盖半导体封装材料、电阻/电容/电感等被动元件；以及MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他，一站式配齐研发与生产所需。
两大智能生产制造中心：华南和西南制造中心（惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡）配备共3000多台先进设备及检测仪器；2024年新增3家半导体材料子公司，从源头把控产能与交付效率。
提供封装测试OEM代工：支持样品定制与小批量试产，配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系，让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。
合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心，为企业提供稳定可靠的元件。
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