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三星打响HBM4价格战!降价30%强入英伟达供应链

2025-09-05 来源:电子工程专辑
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关键词: 三星 HBM4 英伟达 价格战 1c DRAM技术

尽管之前的尝试面临重重障碍,但韩国三星仍在全力以赴,试图利用其下一代HBM4工艺赢得英伟达的信任和订单。

9月5日消息,据韩国媒体报道,三星已准备好与SK海力士和美光科技等公司展开“价格战”,特别是向英伟达提供具有竞争力的HBM4定价,以切入这家AI巨头的供应链。

作为全球半导体行业的领军企业,三星虽在DRAM领域拥有深厚积累,但在HBM这一AI核心组件上却屡屡受挫——此前未能获得英伟达的HBM3E供应资质,导致其在HBM市场的份额从2023年上半年的41%暴跌至2024年同期的17%,被SK海力士(62%)、美光(21%)远远甩开。

此次针对HBM4的“破局”行动,不仅是三星重夺HBM市场领导地位的关键,更是其应对AI时代业务增长瓶颈的“背水一战”。

为打动英伟达,三星祭出“价格战”这一“杀手锏”。消息显示,三星计划向英伟达提供的HBM4价格将比竞争对手低20%-30%,甚至愿意牺牲短期利润率以换取订单。

英伟达作为全球最大的HBM客户(其AI芯片需求占HBM市场的约60%),希望通过引入多家供应商来降低对SK海力士的依赖(SK海力士目前是英伟达HBM3E的独家供应商),并压低采购成本。

此前消息,SK海力士的HBM4工艺价格“溢价”,比HBM3E工艺高出30%-40%。而三星的低价策略恰好契合英伟达的需求——通过引入竞争,打破SK海力士的垄断地位,同时为自身争取更有利的供应条件。

在技术层面,三星已提前布局1c DRAM技术(第六代DRAM),这是其HBM4产品的核心优势——相比SK海力士、美光采用的1b工艺,1c DRAM能显著提升内存带宽与能效,更适合AI处理器的高数据处理需求。

此外,三星已获得ASML的High-NA EUV光刻机,这一先进设备将助力其提升HBM4的良率(目前HBM4良率已达50%-70%,较去年末的30%大幅提升),确保产品质量满足英伟达的严格要求。

在产能方面,三星计划大幅提升HBM4的产能,以满足英伟达的大批量订单需求。其位于韩国平泽的工厂已启动HBM4的预生产流程,预计2025年底或2026年初实现量产。充足的产能不仅能保障供应稳定性,还能通过规模效应进一步降低成本,为价格战提供持续支撑。

今年7月,三星的HBM4工艺交付给NVIDIA进行样品测试,并已通过“初始原型和质量测试”。预计,三星HBM4有望在11月前实现量产。

由于三星最近几个季度业绩低迷,获得认证对三星HBM业务而言是一个至关重要的突破,而加入英伟达的供应链或许能为其带来复苏。不过,三星能否获得英伟达订单或多大数量订单,还存在不确定性,其毕竟仍是英伟达与SK海力士价格谈判的筹码,而非唯一选择。