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MOSFET工艺参数揭秘:合科泰的技术突围之道

2025-07-10 来源: 作者:广东合科泰实业有限公司 原创文章
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关键词: MOSFET 工艺参数 氧化层厚度 沟道长度 掺杂浓度

MOSFET参数性能是选型的关键,而决定其性能的是关键工艺参数调控。作为国家级高新技术企业合科泰深入平面与沟槽等工艺的协同,致力于在氧化层厚度、沟道长度和掺杂浓度等核心参数上突破。如今,合科泰的MOS管被广泛地应用在汽车电子、消费电子当中

氧化层厚度

氧化层厚度直接影响MOS的阈值电压。氧化层越薄,阈值电压越低,呈正相关;而随之而来的,是器件的导通电阻越小,开关速度越快。同时,也会带来栅极漏电流增大、可靠性降低等一些问题。在平面工艺中,合科泰通过化学气相沉积技术,把氧化层厚度控制在12-15nm(如HKTD4N65),确保高耐压下的长期稳定性;采用超薄氧化层设计的沟槽工艺大幅降低了导通电阻,以此满足了高频开关电源的严苛能效要求。

沟道长度

沟道长度是决定开关速度的关键参数。沟道长度过小的短沟道效应,会导致器件的漏电多、击穿电压低,同时还会导致制造难度及成本增加。因此需要在性能和成本之间控制权衡。合科泰引入ASM全自动光刻设备,结合SGT工艺深沟槽刻蚀技术,在先进光刻技术和工艺的加持下,可以尽可能地缩小短沟道效应影响。

掺杂浓度

掺杂浓度调控可以改变载流子的浓度和迁移率,进而精确地调整导通电阻、击穿电压等性能参数,这是MOS性能定制化的核心原理。超结工艺通过多层外延与深槽填充技术,实现较传统平面MOS能效提升50%。如果在高压MOS提高漏极区域的掺杂浓度,就可以增加击穿电压;要是在低导通电阻的MOS提高沟道区域的掺杂浓度,就可以降低导通电阻。

仿真技术

在实际制作MOS管之前,使用仿真技术可以对进行性能的模拟和预测。仿真技术模拟的过程可以缩短研发周期还可以降低成本和发现潜在的问题。除了仿真技术外,合科泰等厂商还会利用X-RAY检测机和超声波扫描机获取精准物理参数。

结语

MOS管工艺参数的深入了解,促使合科泰生产出可定制、高可靠的MOS关产品。合科泰搭建全流程质量控制获取的ISO9001、ISO14001和IATF16949质量体系认证帮助合科泰MOSFET产品形成多种类、多层次、多种应用领域的完整布局MOSFET涵盖从低压到高压、从消费电子到工业级应用提供兼具可靠性与成本优势的解决方案。

 




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