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突破!晶能车规级IGBT产品流片成功
2023-03-16 来源:互联网
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关键词: 晶能 IGBT

近日,浙江晶能微电子有限公司宣布,其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。此次突破标志着晶能在IGBT技术上迈出一个“芯”的里程碑,为后续更多功率芯片的研制打下基础。



晶能自主研发IGBT流片晶圆


该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术,通过优化表面结构和FS结构,兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗,功率密度增大约35%,综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定,采用工艺共创方式持续提升芯片性能。

晶能微电子CEO潘运滨表示:“一辆典型的新能源汽车芯片用量超过1200颗。功率半导体占比接近1/4。此次IGBT产品成功流片,是晶能在芯片国产化道路上不断探索的起点,公司将持续精进、加强研发,围绕动力总成系统中的开发需求,不断研制性能优越的芯片和模块产品。”



晶能自主研发IGBT HP Drive模块


IGBT是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的CPU,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期,也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。

晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司,聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新,发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力,为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。