众所周知，随着芯片工艺的不断前进，光刻机也是不断的改进，越来越先进，越来越精密。

比如普通DUV光刻机，只能生产最低65nm的芯片，而浸润式DUV光刻机，则能生产最低7nm芯片，EUV光刻机则能生产5nm及以下的芯片。

可以说芯片工艺，与光刻机是相互促进的。

有了先进的光刻机，才能生产先进工艺的芯片。同时先进工艺的芯片，又推动光刻机的发展。

按照专家们的说法，目前的EUV光刻机，理论上能够制造2nm左右的芯片，而下代的EUV光刻机，理论上能够制造1nm左右的芯片。

然后芯片工艺想要再进前，则需要EUV继续升级突破，或者换成另外的光刻机，那么问题来了，EUV光刻机之后，光刻机的发展会是朝哪里突破？

事实上，三十年来ASML的技术领路人，ASML的联席总裁范登布林克就表示过，当EUV光刻机出货NA=0.55的High-NA EUV光刻机后，就无法再前进了，这将是最后一代EUV产品。

为何这么说呢，因为从现有的技术来看，EUV光刻机前进的三个方向，都已经是绝路了，至少在范登布林克认为，目前已经是技术的极限，跨不过去了。

对于EUV光刻机而言，突破只能从三个方向去努力。

一个方向是将13.5nm波长的光源换成更小波长的光源，但是目前的实验表明，波长再低，会被几乎所有的材料吸收，必须通过反射镜来反射，而经过收集反射后，光损失会非常严重，无法收集到足够的能量来进行光刻。

第二个方向则是提高NA值，也就是数值孔径，因为NA越大，收集和聚焦光就越多，但ASML认为，达到0.55后，也无法提升了。

还有一个方向则是提高光刻工艺因子，从而提高光刻的分辨率，但ASML认为，目前也达到了物理极限，供应链们难有突破。

所以ASML认为，当NA推进到0.55之后，EUV光刻机的发展，就达到了尽头，前面就是绝路了，至于接下来会是什么样的光刻机，ASML也没想清楚。

也许需要林本坚当初提出浸润式光刻机这种颠覆性的思路，也许要换成其它类型的光刻机。不过ASML日前已经宣布，联席总裁温宁克和范登布林克明年4月份退休，所以接下来突破的事，要交给他们的继任者了。