众所周知，目前的芯片制造工艺中，光刻是必不可少的步骤，所以光刻机也是至关重要的一种设备。

光刻机的类型与工艺制程，光源波长，是一一对应，比如干式DUV光刻机，采用193nm波长深紫外线光源，制造130-65nm芯片，浸润式DUV光刻机，采用193nm波长深紫外线光源，经水折射后，波长变为134nm，用于制造65nm-7nm的芯片。

而EUV光刻机，采用13.5nm波长的极紫外线光源，制造5nm及以下芯片。

从这中，大家基本可以看出规则，那就是光刻机精度的的提升，一个非常重要的因素，就是光源的提升，光源波长越小，精度越高，制造的芯片工艺越小。

不过到了13.5nm的EUV光刻机后，光源的波长不太可能再缩小了。

因为波长再小的话，反射角调整会导致光损失巨大，最后光能量不足，无法光刻，如果加大光能量来抗衡光损失，则需要加多反射镜，还要加大光源系统，会导光刻机成怪物，成本巨大，体积巨大，无法生产和运输。

事实上，除了光源波长减小之外，还可以从另外两个方面提高光刻机分辨率：增大数值孔径、减小光刻工艺因子。

光源波长已经不能再减小了，所以当推出了13.5nm波长的EUV光刻机后，ASML不再探索使用更短波长的光源，而是将目光放在了数值孔径，也就是NA上。

数值孔径是什么，其实代表的是系统可以收集和聚焦多少的光，ASML这几代光刻机，NA不断的增大，从最开始的0.25提升到0.33。

而ASML的下一代EUV光刻机，其NA数值孔径会达到0.55，不过ASML也暗示，这可能是最后一供了，达到0.55之后，无法现提升了。

接着再看光刻工艺因子，但目前，ASML的EUV光刻机，通过组合使用OPC、多重图形等分辨率技术等，其光刻工艺因子已经突破理论极限0.25了，ASML的联席CEO表示，接下来也很难再有进步了，因为要再突破，需要所有合作伙伴一起突破，ASML没把握。

前两天，ASML宣布称，联席总裁温宁克和范登布林克，将于明年4月份退休，不知道这两位退休后，ASML接下来会往何方向突破？似乎路已经走到尽头了。