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一个尴尬的事实:离开美国的技术/设备,我们只能制造65nm芯片
2023-03-13 来源: 只谈数码科技
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关键词: 芯片 中芯国际 集成电路 台积电

众所周知,目前国内能够制造的芯片工艺是14nm,中芯国际于2019年就实现了量产,像华为之前的芯片麒麟710A,就是采用中芯14nm工艺制造的。

所以很多人一直认为,目前国内的芯片水平是14nm,也认为有了这个14nm工艺,我们不必那么慌了,因为就算美国再升级制裁,也只是不能制造14nm以下的芯片,问题也不严重。

毕竟除了CPU、GPU、Soc等几大类别的芯片,要用到14nm工艺外,其它的芯片有14nm就够了,而CPU、GPU、Soc等,用14nm的,也能撑一撑嘛。

但我今天要给大家说一个尴尬的事实,那就是离开国外的技术/设备,我们其实只能制造最多65nm的芯片,65nm以下的芯片,是无能为力的。

为何这么说,因为目前14nm芯片的实现,是基于大量的国外设备/技术,特别是美国、日本的技术/设备/材料,一旦全面封锁,不给我们提供这些设备、技术、材料了,麻烦就大了。

为何会是65nm,一个最典型的限制是光刻机,目前国内的光刻机大量采购的ASML、尼康、佳能的。国产光刻机最先进的上海微电子。

其最先进的光刻机是SSA600/20,分辨率是90nm,虽然很多不负责的媒体表示,可以多次曝光后,达到最低22nm的极限,但是它只是一台干式光刻机,属于ArF光刻机,理论上干式光刻机的极限是65nm,要进入65nm以下,得生产出浸润式光刻机才行,也就是ArFi光刻机。

此外,除了光刻机外,还有媒体报道称,国产涂胶显影机等,其技术节点似乎也在65nm。

另外在半导体材料上,我们也有很多没有突破,最典型的是光刻胶,目前国内仅能生产ArF光刻胶,光刻胶其实是与光刻机对应的,ArF光刻机,也用在130-65nm工艺上的。

光刻机、光刻胶还只是最典型的两样,还有一些靶材、特殊气体等,国内甚至不能生产,得进口。

所以,大家千万别因为我们能够制造14nm芯片,就觉得已经够用了,这是依赖美日的技术/设备才实现的,并不真正属于自己。

中国与美国、日本不一样,美国、日本等企业可以依托全球的供应链进行整合,而以美国为首的西方国家,对中国是进行打压的,所以不能靠他们,必须得自己有,才心里不慌,不怕被卡脖子,你觉得呢?所以加油吧,要补的课还有很多,路也很漫长。