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台积电将称霸晶圆代工5年 3D封装是未来新挑战
2020-08-10 来源:集微网
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    台积电5nm下半年将强劲成长,3nm预计2022年量产,并已研发2nm,工研院产科国际所研究总监杨瑞临认为,台积电制程5年内将称霸晶圆代工业,3D封装是新挑战。

    全球芯片巨擘英特尔(Intel)7nm制程进度延迟,并可能释出委外代工订单;同时,手机芯片厂高通(Qualcomm)也传出5nm处理器可能自三星(Samsung)转由台积电代工生产,让台积电制程领先地位成为市场近期关注焦点。 

    台积电继7nm制程于2018年领先量产,并在强效版7nm制程抢先导入极紫外光(EUV)微影技术,5nm制程在今年持续领先量产,下半年将强劲成长,贡献全年约8%业绩。

    台积电3nm制程技术开发顺利,将沿用鳍式场效电晶体(FinFET)技术,预计2022年下半年量产,台积电有信心3nm制程届时仍将是半导体业界最先进的技术。

    为确保制程技术持续领先,台积电2019年已领先半导体产业研发2nm制程技术,台积电目前尚未宣布量产时间,不过,依台积电每2年推进一个世代制程技术推算,2nm可望于2024年量产。

    杨瑞临分析,尽管台积电2nm制程将自过去的FinFET技术,改采环绕闸极(GAA)技术,台积电2nm制程仍可望维持领先地位,以目前情况看来,台积电制程技术将再称霸晶圆代工业至少5年。

    只是制程微缩技术即将面临物理瓶颈,且价格成本越来越高,杨瑞临说,3D堆叠先进封装技术将更趋重要,相关设备与材料问题都有待解决,这也是台积电的新挑战。

    杨瑞临表示,台积电在先进封装领域着墨多时,自2016年推出InFO封装技术后,至2019年已发展至第5代整合型扇出层叠封装技术(InFO-PoP)及第2代整合型扇出暨基板封装技术(InFO_oS),并开发第5代CoWoS。

    此外,台积电开发系统整合晶片SoIC,以铜到铜结合结构,搭配矽导孔(TSV)实现3D IC技术,将提供延续摩尔定律的机会。

    杨瑞临认为,台积电在先进封装领域仍将领先对手三星。外资并预期,先进封装将是台积电筑起更高的技术与成本门槛,拉大与竞争对手差距的关键。