欢迎访问深圳市中小企业公共服务平台电子信息窗口
登录
|
注册
搜资讯
搜资讯
搜产品
热搜:
展会
|
补贴
|
智能制造
|
活动
|
讲座
|
集成电路
|
商标
|
首页
政府政策
最新政策
通知公告
申报指南
政策解读
行业资讯
行业动态
产业观察
企业动态
行业报告
国际市场
行业智库
视频动态
展会列表
展会报道
产品中心
品牌企业
双碳服务
产业空间
投资指引
产业园区
电子市场
供需发布
商会之窗
商会概况
商会章程
商会架构
产业智库
专业委员会
会员列表
行业精英
商会动态
社会公益
党风建设
工联会
商会会刊
加入商会
联系我们
首页
搜索
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
HBM现货价飙5倍! HBM4良率不佳、长约锁产掀供给荒
三星为英伟达定制8层HBM4E:NVHBM战略转向速度优先
SK海力士美国先进封装厂动工,2029年下半年量产“美国制造”HBM4E
新思科技完成全球首个HBM4 IP测试芯片验证:9.2Gbps速率下眼图清晰
三星HBM4量产良率突破80%
三星:半导体业务Q2利润暴增超250倍,已提供业界首批HBM4E样品
三星确认HBM5采用2nm GAA工艺,速度较HBM4E提升逾50%
HBM4价格2027年望翻倍,产能瓶颈加剧供应荒
三星HBM4E良率突破70%,第七代AI内存开发趋于稳定
<
1
2
3
4
5
6
>
共6页 到第
页
确定