新洁能-国硅推出系列SiC IPM产品 碳化硅赋能功率半导体升级

摘要：新洁能-国硅发布600V SiC IPM系列产品，采用碳化硅宽禁带材料，覆盖7A至15A电流等级，支持五种主流封装。产品开关损耗降低70%，可PIN2PIN替换硅基IPM方案，适配工业变频、光伏储能、家电变频等应用场景。

近日，新洁能-国硅正式发布系列SiC IPM（碳化硅智能功率模块）产品，标志着该公司在宽禁带半导体功率集成领域迈出重要一步。

据悉，该系列产品覆盖600V电压平台，电流等级从7A至15A，采用PQFN5×6、SOP16W、SOP23、DIP23、ESOP13五种行业主流封装，可精准适配工业变频、光伏储能、变频家电、电动工具等多场景国产化替代需求。

▲ 图1：新洁能-国硅SiC IPM系列产品外观

技术突破方面，新洁能-国硅SiC IPM展现出五大核心优势：

一是超低损耗。相比同规格硅基IPM，开关损耗降低70%以上，导通损耗降低50%以上，整机效率提升1%至3%。在大功率长时间运行场景下，每年可为企业节省可观的电费支出。

二是高频适配。更低的开关损耗使器件可在更高频率下稳定工作，整机体积有望缩减30%至50%，为终端产品的小型化、轻量化打开设计空间。

三是高温可靠。碳化硅材料热导率是硅的3倍，裸芯耐温可达175°C以上，远超硅基器件的150°C极限，在高温、高湿、强振动等严苛工况下运行更稳定。

四是高集成度。产品将功率MOSFET与驱动电路、保护电路等功能深度集成于单一封装内，外围BOM大幅精简，研发周期缩短30%以上。

五是PIN2PIN无缝替换。产品兼容主流封装引脚定义，客户可直接替换现有硅基IPM方案，无需大幅改板。

▲ 图2：SiC IPM与硅基IPM性能对比

应用前景方面，该系列产品已在多个领域展现出显著价值。在工业变频与伺服驱动领域，SiC IPM可显著提升电机驱动效率；在光伏逆变与储能变流领域，高效转换与高温稳定运行能力完美匹配系统对长寿命、高可靠的核心需求；在变频家电领域，可显著降低电机噪音并提升能效比；在高速电机与新型电动工具领域，高频无拖尾特性有效解决传统方案的温升痛点。

业内分析人士指出，随着全球碳中和战略持续推进和国产替代进程加速，碳化硅功率器件正在经历从"高端选配"到"行业标配"的转变。新洁能-国硅此次推出的SiC IPM产品，为行业提供了一条低风险、高回报的技术升级路径。

▲ 图3：SiC IPM应用场景概览

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