NY8B060D 6 I/O + 12-通道 ADC 8 位 EPROM-Based 单片机
关键词: NY8B060D单片机 EPROM ADC 功能特性 内存结构
NY8B060D 6 I/O + 12-通道 ADC 8 位 EPROM-Based 单片机
1. 概述
NY8B060D是以EPROM作为存储器的 8 位单片机,专为家电或量测等等的I/O应用设计。采用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能、及高性价比等显著优势。NY8B060D核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编程和控制,共有 55 条指令。除了少数指令需要两个指令时钟,大多数指令都是一个指令时钟能完成,可以让用户轻松地以过程控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。
NY8B060D内建高精度五加二通道 12 位ADC模数转换器,与高精度电压比较器,足以应付各种模拟接口的侦测与量测。在 I/O 的资源方面,NY8B060D 有 6 根弹性的双向 I/O 脚,每个 I/O 脚都有单独的寄存器控制为输入或输出脚。而且每一个 I/O 脚位都能通过控制相关的寄存器达成如上拉或下拉电阻或开漏(Open-Drain)输出。此外针对红外线摇控的产品方面,NY8B060D 内置了可选择频率的红外载波发射口。
NY8B060D 有二组定时器,可用系统时钟当作一般的计时应用或者从外部讯号触发来计数。另外 NY8B060D 提供 3组 10 位的 PWM 输出,1 组蜂鸣器输出,可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。NY8B060D 采用双时钟机制,高速振荡时钟或者低速振荡时钟都由内部 RC 振荡或外部晶振输入。在双时钟机制下,NY8B060D 可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode)与眠模式(Halt mode),可节省电力消耗,延长电池寿命。在省电的模式下,如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中,有多个中断源可以触发来唤醒 NY8B060D进入正常模式(Normal mode)或慢速模式(Slow mode)来处理突发事件。
1.1 功能
宽广的工作电压:
2.0V ~ 5.5V @系统时钟 ≦8MHz。
2.2V ~ 5.5V @系统时钟 >8MHz。
宽广的工作温度:-40°C ~ 85°C。
1Kx14 位的程序存储器空间(EPROM)。
64 字节的通用数据存储器空间(SRAM)。
6 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PA[5,4,2]、PB[3,2,1]。
PA[5,4,2] 及 PB[3,2,1]可选择输入时使用内部下拉电阻。
PA[5,4,2] 及 PB[3,2,1]可选择输入时使用上拉电阻。
PB[3,2,1]可选择开漏输出(Open-Drain)。
PA[5]可选择当作输入或开漏输出(Open-Drain)。
所有I/O脚输出可选择一般灌电流(Normal Sink Current)或大灌电流(Large Sink Current)。
8 级深度硬件堆栈(Stack)。
存取数据有直接或间接寻址模式。
一组 8 位上数定时器(Timer0)包含可编程的预分频器。
一组 10 位下数定时器(Timer1)可选自动重载或连续下数计时。
三个 10 位的脉冲宽度调变输出(PWM1、2、3)。
一个蜂鸣器输出(BZ1)。
38/57KHz红外线载波(IR)频率可供选择,同时载波之极性也可以通过寄存器选择。
内置准确的低电压侦测电路(LVD)。
内置五加二通道 12 位ADC模数转换器(Analog to Digital Converter)。
内置精准的电压比较器(Voltage Comparator)。
内置上电复位电路(POR)。
内置低压复位功能(LVR)。
内置看门狗计时(WDT),可由配置字节(Configuration Word)控制开/关。
内置电阻/频率转换器(RFC)功能。
双时钟机制,系统时钟可以随时切换高速振荡或者低速振荡。
高速振荡时钟: I_HRC(1~20MHz内部高速RC振荡)
低速振荡时钟: I_LRC(内部 32KHz低速RC振荡)
四种工作模式可随系统需求调整电流消耗:正常模式(Normal mode)、慢速模式(Slow mode)、待机模式
(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)。
七种硬件中断:
Timer0 上溢中断。
Timer1 下溢中断。
WDT中断。
PA/PB输入状态改变中断。
一组外部中断。
低电压侦测中断。
ADC模数转换完成中断。
NY8B060D在待机模式(Standby mode)下的七种唤醒中断:
Timer0 上溢中断。
Timer1 下溢中断。
WDT中断。
PA/PB输入状态改变中断。
一组外部中断。
低电压侦测中断。
ADC模数转换完成中断。
NY8B060D在睡眠模式(Halt mode)下的三种唤醒中断:
WDT中断。
PA/PB输入状态改变中断。
一组外部中断。
1.2 NY8B060D 与 NY8B062E、NY8B062D 的主要差异

1.3 系统框图

2. 内存结构 NY8B060D存储器分为两类:分别是程序存储器和数据存储器。
2.1 程序存储器 NY8B060D程序存储器空间是 1Kx14 位。因此,10 位宽的程序计数器(PC)可以访问程序存储器的任何地址。 复位地址位于 0x000,软件中断地址位于 0x001,内部和外部硬件中断地址位于 0x008。 NY8B060D提供LCALL和LGOTO指令访问程序空间的任何地址。 当发生子程序调用或中断情况时,下一个ROM地址写入堆栈的顶部。而当执行RET、RETIA或RETIE指令,堆栈 顶部的数据会被读取并加载到程序计数器。 NY8B060D程序存储器地址 0x3FE~0x3FF是保留地址。如果用户在这些地址写入程序可能会发生无法预期的程序 执行错误。
NY8A060D程序存储器地址 0x00E~0x00F是Preset Rolling Code地址。如果用户在不设置滚码时可当作程序区使 用。

2.2 数据存储器
根据用于存取数据存储器的指令,数据存储器可分为三类:R-page特殊功能寄存器(SFR)和通用寄存器(GPR)、F-page特殊功能寄存器、S-page特殊功能寄存器。GPR是由SRAM组成,用户可以使用它们来存储变量或计算结果。R-page特殊功能寄存器和数据存储器分为四组Bank,可通过数据指针寄存器(FSR)来切换Bank。寄存器BK[1:0]为STATUS[7:6],可从四个Bank中选择其中一个。R-page特殊功能寄存器和数据存储器可用直接寻址方式和间接寻址方式来进行存取。数据存储器使用间接寻址方式如下图所描述,这种间接寻址方式包含使用INDF寄存器。Bank选择是由STATUS[7:6]决定,地址选择则是由FSR[6:0]而定。
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