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NY8A053E 12 I/O 4-通道 PWM 8 位 EPROM-Based 单片机

2026-02-10 来源: 作者:深圳市佰泰盛世科技有限公司
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关键词: NY8A053E 8位单片机 EPROM I/O PWM 功能特性

NY8A053E 12 I/O 4-通道 PWM 8 位 EPROM-Based 单片机

1. 概述

      NY8A053E是以EPROM作为存储器的 8 位单片机,专为多组I/O口产品的应用而设计。例如遥控器、风扇/灯光控制或是游乐器周边等等。采用CMOS制程并同时提供客户低成本、高性能及高性价比等。NY8A053E核心建立在RISC精简指令集架构可以很容易地做编程和控制,共有 55 条指令。除了少数指令需要两个指令时钟,大多数指令都是一个指令时钟能完成,可以让用户轻松地以程序控制完成不同的应用。因此非常适合各种中低记忆容量但又复杂的应用。I/O 的资源方面,NY8A053E 12 根弹性的双向 I/O 脚,每个 I/O 脚都有单独的寄存器控制为输入或输出脚。而且

每一个 I/O 脚位都能通过控制相关的寄存器达成如上拉或下拉电阻或开漏(Open-Drain)输出。此外针对红外线摇控的产品方面,NY8A053E 内置了可选择频率的红外载波发射口。

     NY8A053E 有两组定时器,可用系统时钟当作一般的计时应用或者从外部讯号触发来计数。另外 NY8A053E 提供 410 位的 PWM 输出或蜂鸣器输出,可用来驱动马达、LED、或蜂鸣器等等。NY8A053E 采用双时钟机制,高速振荡时钟或者低速振荡时钟都由内部 RC 振荡或外部晶振输入。在双时钟机制下,

     NY8A053E 可选择多种工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode),可节省电力消耗,延长电池寿命。并且单片机在使用内部 RC 高速振荡时,低速振荡可以同时使用外部精准的晶振计时。可以维持高速处理同时又能精准计算真实时间。在省电的模式下,如待机模式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)中,有多个中断源可以触发来唤醒 NY8A053E

进入正常操作模式(Normal mode)或慢速模式(Slow mode)来处理突发事件。

1.1 功能

宽广的工作电压:

2.0V ~ 5.5V @系统时钟 8MHz

2.2V ~ 5.5V @系统时钟 >8MHz

宽广的工作温度:-40°C ~ 85°C

1Kx14 位的程序存储器空间。

64 字节的通用数据存储器空间。

内置准确的低电压侦测电路(LVD)。14 级电压选择 2.2V ~ 4.15V

内置准确的电压比较器(Voltage Comparator)。

12 根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚(GPIO)、PA[3:0]PB[7:0]

PA[3:0]PB[3:0]可选择输入时使用内部下拉电阻。

PB[7:0]可选择内部上拉电阻或开漏输出(Open-Drain)。

PB[3]可选择当作输入或开漏输出(Open-Drain)。

8 级深度硬件堆栈(Stack)。

访问数据有直接或间接寻址模式。

一组 8 位上数定时器(Timer0)包含可编程的预分频器。

一组 10 位下数定时器(Timer1)可选自动重载或连续下数计时。

4 10 位的脉冲宽度调变输出(PWM1~ PWM4),PWM1/2/3/4 共享Timer1

一个蜂鸣器输出(BZ1)。

38/57KHz红外线载波(IR)频率可供选择,同时载波之极性也可以通过寄存器选择。

红外载波发射口。

内置上电复位电路(POR)。

内置低压复位功能(LVR)。

内置看门狗计时(WDT),可由配置字节(Configuration Word)控制开关。

双时钟机制,系统时钟可以随时切换高速振荡或者低速振荡。

高速振荡时钟:

E_HXT

(超过 6MHz外部高速晶振)

E_XT

455K~6MHz外部晶振)

I_HRC

1~20MHz內部高速RC振荡)

低速振荡时钟: E_LXT

32KHz外部低速晶振)

I_LRC

(內部 32KHz低速RC振荡)

四种工作模式可随系统需求调整电流消耗:正常模式(Normal mode)、慢速模式(Slow mode)、待机模式

Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)。

六种硬件中断:

Timer0 上溢中断。

Timer1 下溢中断。

WDT中断。

PB输入状态改变中断。

外部中断输入。

低电压侦测中断。

NY8A053E在待机模式(Standby mode)下的六种唤醒中断:

Timer0 上溢中断。

Timer1 下溢中断。

WDT中断。

PB输入状态改变中断。

外部中断输入。

低电压侦测中断。

NY8A053E在睡眠模式(Halt mode)下的三种唤醒中断:

WDT中断。

PB输入状态改变中断。

外部中断输入。

1.2 NY8A053E NY8A053D 的主要差异

1.3 系统框图

2. 内存结构

NY8A053E存储器分为两类:分别是程序存储器和数据存储器。

2.1 程序存储器

     NY8A053E程序存储器空间是 1Kx14 位。因此,10 位宽的程序计数器(PC)可以访问程序存储器的任何地址。复位地址位于 0x000,软件中断地址位于 0x001,内部和外部硬件中断地址位于 0x008NY8A053E提供CALLGOTOACALLA等指令去访问程序空间的 256 个地址。还提供GOTO指令去访问程序空间 512 个地址,LCALLLGOTO指令访问程序空间的任何地址。

  当发生子程序调用或中断情况时,下一个ROM地址写入堆栈的顶部。而当执行RETRETIARETIE指令,堆栈顶部的数据会被读取并加载到程序计数器。

    NY8A053E程序存储器地址 0x3FE~0x3FF是保留地址。如果用户在这些地址写入程序可能会发生无法预期的程序执行错误。

NY8A053E程序存储器地址 0x00E~0x00FPreset Rolling Code地址。如果用户在不设置滚码时可当作程序区使用。

2.2 数据存储器

   根据用于访问数据存储器的指令,数据存储器可分为三类:R-page特殊功能寄存器(SFR)和通用寄存器(GPR)、F-page特殊功能寄存器、S-page特殊功能寄存器。GPR是由SRAM组成,用户可以使用它们来存储变量或计算结果。R-page特殊功能寄存器和数据存储器分为四组Bank,可透过数据指针寄存器(FSR)来切换Bank。寄存器BK[10]FSR[7:6],可从四个Bank中选择其中一个。R-page特殊功能寄存器和数据存储器可用直接寻址方式和间接寻址方式来进行访问。数据存储器使用间接寻址方式如下图所描述,这种间接寻址方式包含使用INDF寄存器。Bank选择是由FSR[7:6]决定,地址选择则是由FSR[5:0]而定。

3. 网址:www.baitaishengshi.com




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