消息称LG电子正研发HBM混合键合设备原型机

据报道，LG电子正在研发一款用于高带宽存储器（HBM）的混合键合设备的原型机。

该项目得到了韩国产业通商资源部的支持，Justem公司也参与其中，负责开发该套件的系统。

LG 电子生产工程研究所（PRI）于2025年6月启动了该项目。韩国政府为该项目提供了75亿韩元的资金，项目总预算为140亿韩元。

消息人士称，该项目目前处于概念验证阶段，LG电子正使用模块和键合头测试混合键合工艺。

该项目计划于2029年前完成，目标是达到200纳米的精度。消息人士称，这款键合机预计三年后在HBM领域推出时可能不具备竞争力，因此该团队也在考虑将其应用于逻辑芯片领域。（校对/李梅）