深圳市杰兴伟业电子有限公司

JSM2183STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片

在工业控制、家电变频、电机驱动的世界里，功率驱动芯片就像 “神经中枢”，决定着整个系统的稳定性、效率与安全性。长期以来，IR2183 作为经典的高低侧驱动芯片，在市场中占据重要地位。但随着技术迭代与应用需求升级，一款更具性能优势的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自举高侧同低侧反驱动芯片。今天，我们就来深入解析这款国产芯片如何凭借两大核心优势，成为 IR2183 的理想替代者，为工程师们的设计之路降本增效。

2025-08-18 阅读：104

JSM21814STRPBF 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

在电力电子领域，一款稳定可靠的驱动芯片是系统高效运行的核心保障。今天为大家推荐一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF，它可完美替代 IRS21814STRPBF，凭借 700V 高压支持、大电流驱动能力和多重保护设计，成为电机控制、逆变器等场景的理想之选

2025-08-16 阅读：188 关键词： JSM21814STRPBF 驱动芯片 700V高压大电流驱动广泛应用

JSM2181STR 700V单相高低侧栅极驱动芯片

在功率电子领域，栅极驱动芯片如同系统的 “神经中枢”，直接决定着功率器件的开关性能与系统可靠性。长期以来，IRS2181 作为经典的 600V 半桥驱动芯片，凭借稳定的性能占据着不小的市场份额。但随着高压应用场景的不断拓展，一款名为 JSM2181STR 的 700V 单相高低侧栅极驱动芯片正凭借更优异的性能参数，成为工程师眼中替代 IRS2181 的理想之选。今天我们就从技术参数、保护机制、应用适配等维度，全面解析这款国产驱动芯片的硬核实力。

2025-08-16 阅读：198 关键词： JSM2181STR 栅极驱动芯片 700V高压多重保护广泛应用

JSM27710DR单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

在功率电子技术飞速发展的今天，驱动芯片作为功率器件的 “大脑”，其性能与可靠性直接决定了整个电子系统的稳定性。面对市场对高性价比、高兼容性功率驱动方案的迫切需求，国内领先的半导体企业杰盛微（JSMSEMI）正式推出重磅产品 ——JSM27710DR 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片，作为 UCC27710DR 的完美替代型号，为工程师们带来更可靠、更适配的技术选择！

2025-08-12 阅读：1450 关键词： JSM27710DR UCC27710替代功率驱动芯片产品特性应用场景

JSM2104STR700V 集成自举带SD功能单相高低侧栅极驱动芯片

在功率电子领域，栅极驱动芯片是连接控制电路与功率器件的 “桥梁”，其性能直接影响系统的稳定性、效率与可靠性。今天给大家推荐一款国产高性价比栅极驱动芯片 ——JSM2104STR，它不仅性能优异，更是 EG2104 的理想替代型号，轻松适配各类功率应用场景。

2025-08-12 阅读：159 关键词： JSM2104STR 栅极驱动芯片 EG2104替代产品特性应用场景

JSM2006G650V集自举单相高低侧同相电机驱动芯片

在电机驱动领域，芯片的稳定性、兼容性和性能直接影响设备的运行效率与寿命。杰盛微半导体自主研发的JSM2006G 650V 集自举单相高低侧同相电机驱动芯片，凭借优异的参数表现和广泛的兼容性，成为替代 PT5606、KP85302 的理想选择，为电机控制、家电、逆变器等场景提供高性价比解决方案。

2025-08-09 阅读：191 关键词：杰盛微半导体 JSM2006G 电机驱动芯片芯片替代性能参数