深圳市佰泰盛世科技有限公司

CS5230E 内置自适应Charge Pump模块,固定28倍增益,AB/D切换,两种防破音模式可选 5.2W单声道GF类音频功率放大器

CS5230E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Q的负载提供最高5W的连续功率:CS5230E芯片内部固定的28倍增益，有效的减少了外围元器件的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰:CS5230E具有独特的防破音(NCN)功能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益，实现更加舒适的听觉感受,CS5230E还具备电源自适应能力,当电源电压低的时候,功放会自动降低增益,从而减少功放的输出功率.

2025-11-22 阅读：907 关键词： CS5230E GF类音频功率放大器自适应Charge Pump AB/D切换防破音模式

CS5082E 带NTC功能,5VUSB输入,双节锂电池串联应用,升压充电管理IC

CS5082E是一款5V输入,支持双节锂电池串联应用锂离子电池的升压充电管理IC.CS5082E集成功率MOS，采用异步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，可有效减少整体方案尺寸，降低BOM成本。 CS5082E的升压开关充电转换器的工作频率为600KHz最大2A输入充电，转换效率为90%。CS5082E输入电压为5V,内置自适应环路，可智能调节充电电流，防止拉挂适配器输出可匹配所有适配器。 CS5082E提供了纤小的ESOP8L封装类型供客户选择,其额定的工作温度范围为-40°C至85°℃。

2025-11-22 阅读：848 关键词： CS5082E 升压充电管理IC 双节锂电池串联 NTC功能多种保护功能

HT6875 2.8W防削顶单声道D类音频功率放大器

HT6875是一款低EMI的，防削顶失真的，单声道免滤波D类音频功率放大器。在5V电源，10%THD+N，4Ω负载条件下，输出2.8W功率，在各类音频终端应用中维持高效率并提供AB类放大器的性能。 HT6875的最大特点是防削顶失真（ACF）输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真（破音），也能自适应地防止在电池应用中由电源电压下降所造成的输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，并保护扬声器免受过载损坏。同时芯片具有ACF-Off 模式。 HT6875具有独有的电磁辐射（EMI）抑制技术和优异的全带宽低辐射性能，辐射水平在不加任何辅助设计时仍远在FCC Part15 Class B标准之下，不仅避免了干扰其他敏感电路还降低了系统设计难度。

2025-11-22 阅读：705 关键词： HT6875 D类音频功率放大器防削顶失真免滤波器多种保护功能

HT316C 具有防破音功能的免电感滤波2×20W D类立体声音频功放

HT316C是一款高效D类音频功率放大器。在14V供电的立体声（BTL）模式、THD+N=10%条件下，能够持续提供2*20W/4Ω功率输出；在单声道（PBTL）、模式、THD+N=10%条件下，能够持续提供34W/4Ω功率输出。 HT316C具有先进的扩频功能来抑制EMI，使用价格低廉且小体积铁氧体磁珠可满足EMC要求。此外，HT316C内置关断功能使待机电流最小化，还集成了过压保护、直流保护、短路保护、热保护和电源欠压异常保护等功能，可全面防止出现故障。 HT316C具有防削顶失真（ACF）输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真（破音），也能自适应地防止在BOOST升压电压下降所造成的输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，并保护扬声器免受过载损坏。

2025-11-22 阅读：692 关键词： HT316C D类立体声音频功放防破音功能免电感滤波多种保护功能

HTA3612 免电感滤波2×15W AB/D类音频功放

HTA3612是一款高效AB/D类音频功率放大器。D类模式，12V供电、THD+N=10%条件下，能够持续提供2×16.8W/4Ω功率输出 HTA3612具有先进的扩频功能来抑制EMI，Class D时使用价格低廉且小体积铁氧体磁珠可满足EMC要求。此外，HTA3612内置关断功能使待机电流最小化，还集成了短路保护、热保护和电源欠压异常保护等功能。 HTA3612具有防削顶失真（ACF）输出控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅度过大所引起的输出信号削顶失真（破音），也能自适应地防止在电源电压下降所造成的输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，并保护扬声器免受过载损坏。

2025-11-21 阅读：707 关键词： HTA3612 音频功放免电感滤波 AB/D类可选多种保护功能

PL8310G 36V, 1A Monolithic Step-Down Switching Regulator

PL8310G is a monolithic 36V, 1A step-down switching regulator. PL8310G integrates a 36V 250mΩ high side and a 36V, 140mΩ low side MOSFETs to provide 1A continuous load current over a 4.5V to 36V wide operating input voltage with 33V input over voltage protection. Peak current mode control provides fast transient responses and cycle-by-cycle current limiting.

2025-11-21 阅读：674 关键词： PL8310G 降压式开关稳压器宽输入电压范围集成MOSFET 多种保护功能

PL8310D 36V, 1.5A Monolithic Step-Down Switching Regulator

PL8310D is a monolithic 36V, 1.5A step-downswitching regulator. PL8310D integrates a 36V 250mΩhigh side and a 36V, 140mΩ low side MOSFETs toprovide 1.5A continuous load current over a 4.5V to36V wide operating input voltage with 33V input overvoltage protection. Peak current mode controlprovides fast transient responses and cycle-by-cyclecurrent limiting.

2025-11-21 阅读：757 关键词： PL8310D 降压式开关稳压器宽输入电压范围集成MOSFET 多种保护功能

PL8310C 36V, 1A Monolithic Step-Down Switching Regulator

PL8310C is a monolithic 36V, 1A step-down switching regulator. PL8310C integrates a 36V 250mΩ high side and a 36V, 140mΩ low side MOSFETs to provide 1A continuous load current over a 4.5V to 36V wide operating input voltage with 33V input over voltage protection. Peak current mode control provides fast transient responses and cycle-by-cycle current limiting.

2025-11-21 阅读：739 关键词： PL8310C 降压式开关稳压器宽输入电压范围集成MOSFET 多种保护功能

PL8310E 36V, 1A Monolithic Step-Down Switching Regulator

L8310E is a monolithic 36V, 1A step-down switching regulator. PL8310E integrates a 36V 250mΩ high side and a 36V, 140mΩ low side MOSFETs to provide 1A continuous load current over a 4.5V to 36V wide operating input voltage with 33V input over voltage protection. Peak current mode control provides fast transient responses and cycle-by-cycle current limiting.

2025-11-21 阅读：729 关键词： PL8310E 降压式开关稳压器宽输入电压范围集成MOSFET 多种保护功能

PL469N4G3 40VDS/±20VGSN-Channel Shield Trench Power MOSFET

Features  VDS=40V,ID=69A  RDS(ON)=3.6mΩ（TYP.）VGS=10V,ID=20A  RDS(ON)=4.8mΩ（TYP.）VGS=4.5V,ID=20A  Reliable and Rugged  Avalanche Rated  Low On-Resistance  High Current Capability  Halogen and Antimony Free,Rohs compliant

2025-11-21 阅读：827 关键词： PL469N4G3 N沟道屏蔽沟槽功率MOSFET 低导通电阻高电流能力电源管理

PL469N4G5 40VDS/±20VGSN-Channel EpicSGT MOSFET

Features  VDS=40V,ID=69A  RDS(ON)=3.9mΩ（TYP.）VGS=10V,ID=20A  RDS(ON)=5mΩ（TYP.）VGS=4.5V,ID=20A  Reliable and Rugged  Avalanche Rated  Low On-Resistance  High Current Capability  Halogen and Antimony Free,Rohs compliant

2025-11-21 阅读：892 关键词： PL469N4G5 N沟道EpicSGT MOSFET 低导通电阻高电流能力电源管理

PL3900 100V Multi-Phase Synchronous Buck/Boost Controller

The PL3900 is a high performance Multi-Phase single output synchronous buck/boost converter controller that drives two N-channel power MOSFET stages out-of-phase. Multiphase operation reduces input and output capacitor requirements and allows the use of smaller inductors than the single-phase equivalent. Synchronous rectification increases efficiency, reduces power losses and eases thermal requirements, enabling high power boost applications.

2025-11-21 阅读：783 关键词： PL3900 多相同步降压/升压控制器多相操作宽输入电压范围同步整流