音频中ADC/DAC/和采样率关系
要理解音频领域的 ADC、DAC 和 采样率，需先明确一个核心前提：现实世界中的声音（如人声、乐器声）是模拟信号（连续变化的电信号），而手机、电脑、播放器等数字设备只能处理数字信号（离散的 0 和 1 代码）。ADC 和 DAC 是连接 “模拟声音” 与 “数字设备” 的关键桥梁，采样率则是决定 “数字信号还原模拟声音精度” 的核心指标。下面从定义、原理、应用场景三方面详细拆解
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MCU的分类？TMS320F28P55x系列如何实现实时控制？
TMS320F28P55x系列是德州仪器推出的MCU产品，一经推出得到了业界的广泛好评。为增进大家对TMS320F28P55x系列MCU的认识，本文将对MCU的分类、TMS320F28P55x系列MCU边缘AI实时控制予以介绍。 -
电容在电源电路、音频电路、射频电路中的作用
电容描述的是器件储存电荷的能力。电容的定义是器件的电荷量与电势之比，常用C表示。电容的量纲是L-2M-1T4I2，国际单位制下单位是F(法拉)。电容器是一种基本的线性电子元件。电容器在电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔离直流电路中都有应用。 电子产品，电容无疑是一种不可或缺的器件，其广泛应用于电源电路、音频电路以及射频电路等多个领域。接下来，我们将深入探讨电容的基础知识，带你全面了解这一关键电子元件。电容，英文为“Capacitance”，也常被称作“电容量”，它衡量的是在特定电位差下，电荷的储存量。这一物理量以C表示，其国际单位是法拉(F)。简单来说，当电荷在电场中受到力的作用而发生移动时，若导体间存在介质，便会阻碍电荷的移动，导致电荷在导体上累积，这种现象即为电容的形成。电容的计算公式为：C=εS/4πkd。其中，ε代表介电常数，S是电容极板的正对面积，d是极板间的距离，而k则是静电力常量。特别地，对于平行板电容器而言，其电容可简化为C=εS/d，其中ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离。 -
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MOS管应用中，常见的各种‘击穿’现象
mos管也称场效应管，这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。MOSFET是一种场效应晶体管(利用电场控制电流)，由金属氧化物半导体制成，是目前使用最广泛的生产技术。在功率MOSFET领域，碳化硅(SiC)也被使用，因为它是电源、逆变器和其他应用所需的更高性能和效率的理想选择。东芝多年来一直致力于MOSFET的开发和生产，我们广泛的低中高耐压设备产品线具有低损耗、高速度、低导通电阻和小封装等特点—适合各种应用的MOSFET。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric(栅介质)。器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。 -
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200W 以上功放芯片应用介绍和发展趋势
200W 以上功放芯片主要通过拓扑优化、高功率器件、强化散热及集成保护实现，TI 和 ST 均有针对性型号，后续将向 “高效材料 + 高度集成 + 超低低耗” 方向发展。 -
GaN（氮化镓）与硅基功放芯片的优劣势解析及常见型号
GaN（氮化镓）属于宽禁带半导体（禁带宽度 3.4 eV），硅基材料（硅）为传统半导体（禁带宽度 1.1 eV），二者在功放芯片中的性能差异源于材料物理特性 -
预补偿方法以减少Class D功率放大器的爆裂噪声
Class D功率放大器在音频系统中被广泛使用。 然而，在放大器启动或关闭时，以及在静音 / 取消静音 切换期间，扬声器中经常会出现爆裂声或点击声。这些 噪音可能会被听到，并使用户感到不适。在音频系统中 静音功率放大器是避免在启动或关闭期间出现爆裂声的有效方法。此外，音频系统有时播放音乐，有时停止播放，这需要频繁地静音或取消静音放大器。因此，爆裂声是频繁静音和取消静音控制的关键问题。本文讨论了 静音 / 取消静音过渡期间爆裂声的发生原因，并设计了 相应的方法来抑制这些噪音。 简介 高效率和小尺寸的特点使 Class D 功率放大器非常 适合用于高功率音频系统。图 1 是使用 Class D 功率放大器的典型音频系统。音频处理器将音频信号传送到功率放大器，同时它还可以控制功率放大器的启动和关闭。 -
为什么要进行芯片测试以及分别在什么阶段进行
芯片测试是一个比较大的问题，直接贯穿整个芯片设计与量产的过程中。首先芯片fail可以是下面几个方面： 功能fail，某个功能点点没有实现，这往往是设计上导致的，通常是在设计阶段前仿真来对功能进行验证来保证，所以通常设计一块芯片，仿真验证会占用大约80%的时间。 性能fail，某个性能指标要求没有过关，比如2G的cpu只能跑到1.5G，数模转换器在要求的转换速度和带宽的条件下有效位数enob要达到12位，却只有10位，以及lna的noise figure指标不达标等等。这种问题通常是由两方面的问题导致的，一个是前期在设计系统时就没做足余量，一个就是物理实现版图太烂。这类问题通常是用后仿真来进行验证的 -
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DC/DC 与 AC/DC：技术原理、应用场景及优劣势全解析
要理解 DC/DC 与 AC/DC 的差异，核心是抓住 “输入电源类型” 的本质区别 ——DC/DC 处理直流输入，AC/DC 处理交流输入，这直接决定了两者的技术原理、应用场景及优劣势。以下从技术原理、应用场景、优劣势对比三方面详细拆解。 DC/DC（直流 - 直流变换器）和 AC/DC（交流 - 直流变换器）是电源系统的两大核心器件，前者负责 “直流电压的适配调节”，后者负责 “从交流电网获取并转换为直流电源”，二者常搭配使用（如手机充电器 = AC/DC+DC/DC），但技术逻辑和定位完全不同。