- 又一家国产先进NAND闪存即将量产！工艺：19纳米
- 紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存
- 消息称 SK 海力士正开发基于 238层NAND的UFS4.0 闪存
- TrendForce 预计 NAND 闪存需求明年增长 28.9%，供给增长 32%
- SK 海力士介绍 238 层 4D NAND 闪存：传输速度提升 50%，能耗减少 21%
- SK 海力士开发出 238 层 NAND 闪存芯片，明年上半年量产
- SK 海力士拟年内试产 238 层 NAND 闪存
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- 美光宣布全球首款 232 层 TLC NAND 芯片出货
- 2022年全球NAND闪存市场现状及应用分布预测分析（图）
