SAMSUNG/三星内存芯片K3UHAHA0AM-AGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 556FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-JGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH5H50AM-JGCL 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4UCE3Q4AA-MGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4U6E3S4AA-MGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH7H70AM-JGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K3UH5H50AM-JGCR 为下一代移动设备提供更快的速度 速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V ~0.6V 温度-25~+85°LPDDR4X 432FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HM-MHCJ 数据传输速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HM-MFCJ 数据传输速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HA-GUCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

CS5171EDR8G

M30620SPGP#U5C

STM32F102C8T6

MT25QU01GBBB8ESF-0AAT

MK26FN2M0VLQ18

代理进出口

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HA-GHCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FHE3D4HA-GFCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FBE3D4HM-GUCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FBE3D4HM-GHCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4FBE3D4HM-GFCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F8E3S4HB-MHCJ 数据传输速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F8E3S4HB-MFCJ 数据传输速度更快，能耗更低。速率3733Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+95°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F6E3S4HM-GUCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+125°LPDDR4 200FBGA 封装

SAMSUNG/三星内存芯片K4F6E3S4HM-GHCL 数据传输速度更快，能耗更低。速率4266Mbps 电压1.8V~1.1V 温度-40~+105°LPDDR4 200FBGA 封装