三星KLMCG2UCTB-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。HS400接口 64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm

BM06B-PASS-TFT(LF)(SN)

SM05B-NSHSS-TB(LF)(SN)

BM03B-SURS-TF(LF)(SN)

SM04B-NSHSS-TB(LF)(SN)

BM04B-PASS-1-TFT(LF)(SN)

三星M474A2K43BB1-CTD 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A2K43BB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A1G43DB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A1G43DB0-CPB 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2133Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M393B2G70EB0-YMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA

三星M393B2G70EB0-YK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1600Mbps 1.2 V 240FBGA

三星M393B2G70EB0-CMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA

三星M393B2G70EB0-CK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器16 GB 2R x4 LPDDR4 1600Mbps 1.2 V 240FBGA

三星M393B1G73EB0-YMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 2R x8 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA

三星M393B1G73EB0-YK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 2R x8 LPDDR4 1666Mbps 1.2 V 240FBGA

三星M393B1G73EB0-CMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 2R x8 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 240FBGA

攀藤PMSX003 颗粒物激光传感器户外油烟监测净化室空气检测传感器

三星M393B1G70EB0-CK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 2R x8 LPDDR4 1600Mbps 1.2 V 288FBGA

三星M393B1G73EB0-CK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 288FBGA

三星M393B1G70EB0-YMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 1R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 288FBGA

三星M393B1G70EB0-YK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 1R x4 LPDDR4 1600Mbps 1.2 V 288FBGA

三星M393B1G70EB0-CMA 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 1R x4 LPDDR4 1866Mbps 1.2 V 288FBGA

三星M393B1G70EB0-CK0 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 8 GB 1R x4 LPDDR4 1600Mbps 1.2 V 288FBGA

三星M393AAK40B42-CWD 带存储器的双列直插式存储模块 包括用于优化时钟、命令和控制信号的寄存器 128GB 8R x4 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 288FBGA