三星KLM8G1GESD-B03P 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

IPC90N04S5L-3R3

三星KLMEG8UCTA-B041 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。256GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMDG4UCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。128GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMCG2UCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMCG2KCTA-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。64GB 1.8 ~3.3 V -25~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMBG4GEUF-B04Q闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMBG4GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。32GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMAG2GEUF-B04Q 闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMAG2GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。16GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GEUF-B04Q闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 105 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM8G1GEUF-B04P闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。8GB 1.8 ~3.3 V -40 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm HS400接口

三星KLM4G1FETE-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。4GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11 x 10 x 0.8 mm HS400接口

三星KLMDG4UCTB-B041 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。HS400接口 128GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm

端子线—绞线

端子线--绞线

三星KLMCG2UCTB-B041闪存芯片 移动存储领域的高性能产品，可用于开发超薄移动设备。HS400接口 64GB 1.8 ~3.3 V -25 ~ 85 °C 尺寸11.5 x 13 x 0.8 mm

BM06B-PASS-TFT(LF)(SN)

SM05B-NSHSS-TB(LF)(SN)

BM03B-SURS-TF(LF)(SN)

SM04B-NSHSS-TB(LF)(SN)

BM04B-PASS-1-TFT(LF)(SN)

三星M474A2K43BB1-CTD 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2666Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A2K43BB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 16 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA

三星M474A1G43DB1-CRC 带错误检查和纠正的小型无缓存双列直插式内存模块 8 GB 2R x8 LPDDR4 2400Mbps 1.2 V 260FBGA