BAS70S_R1_00001_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.5A 参数2：VR:70V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:0.01uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式配置，额定平均正向电流（IF）为0.5A，反向重复峰值电压（VR）达70V。其正向压降（VF）为1.25V，反向漏电流（IR）低至0.01μA，表现出优异的阻断性能与能效特性。器件可承受1A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对电压耐受和低漏电有较高要求的整流、信号解调及电源管理电路，尤其适合需要串联结构以提升反向耐压能力的紧凑型电子设计。
