BAS40-04-E3-18_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的平均正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，在正常工作条件下表现出较低的导通损耗。反向漏电流（IR）仅为0.2μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对效率和响应速度有一定要求的低功率电路场合，如便携式电子设备、电源管理模块及信号整流路径中，能有效提升系统整体能效与稳定性。
