MDD50N03D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为60A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(on)）典型值为7毫欧。其低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低导通损耗，提升整体能效。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场合，如电源转换、电机控制及高频开关电路等，能够在紧凑布局中保持良好的电气性能与稳定性。
