SUD50N03-09P-E3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。在中等功率开关应用中，其参数组合可有效平衡导通损耗与开关性能，适用于电源管理模块、电机驱动电路、电池供电设备以及各类需要高效能功率开关的电子系统。器件在持续大电流工作时仍能维持较低温升，有助于提升整体系统稳定性。
