IRLR8103VTRL_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至7毫欧，适用于大电流、高效率的开关应用场景。其低导通电阻有助于减少功率损耗并提升系统热稳定性。该器件可广泛用于电源转换模块、电池充放电控制、电动工具驱动电路以及对能效和紧凑布局有较高要求的电子设备中。
