IRLR8721PBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的最大漏源电压（VDSS），在标准驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换场合。器件结构支持高频开关操作，可广泛应用于高效直流-直流变换器、电池管理系统及各类高电流负载控制电路中。
