BAS40-04-G3-18_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用串联式配置，具有0.2A的正向平均电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为1V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）低至0.2μA，体现出良好的反向截止特性。最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对效率和空间有要求的小型电子设备，如便携式电源管理、信号整流及低功耗电路中的极性保护等应用。
