FDMS0312AS-NC_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，栅源电压（VGS）最高支持20V。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类高效功率转换电路，在高频或大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。
