BYS10-35-E3/TR3_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，具有2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.55V，在导通时可有效降低能量损耗。在反向阻断状态下，漏电流（IR）为500μA。器件能承受高达50A的正向浪涌电流（IFSM），适用于低压电源整流、高频开关电路中的续流与箝位等场合。
