MBR10200CD_TO-252-2L_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:TO-252-2L 类别:肖特基二极管 最小包装:2500/圆盘 参数1:IF:10A 参数2:VR:200V 参数3:VF:0.92V 参数4:IR:50uA 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置,额定正向电流(IF)为10A,最大反向电压(VR)达200V。其正向压降(VF)典型值为0.92V,在25℃条件下反向漏电流(IR)不超过50μA。器件可承受高达100A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景,尤其适合多路输出或需要共阴极结构的电源转换电路。
