NVMFS5C450NWFT3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40V的漏源击穿电压（VDSS）、130A的连续漏极电流（ID），以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(on)）。低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流开关电源、大功率DC-DC转换、电池管理系统及各类对效率和热性能要求较高的电子装置，在高频或持续大电流工作条件下仍可保持稳定可靠的电气特性。
