DMN3010LSS-13-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于中等功率的开关电源、负载开关及电池供电设备中的功率路径控制，其电气特性支持稳定可靠的高频开关操作。
