NVMFS5C450NT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流开关电源、电池充放电控制、电动工具驱动及大功率直流转换等应用。在持续高负载运行条件下，器件仍能维持稳定的电气特性和良好的热表现。
