BR810_R1_00001_SMB_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMB 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:8A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，额定平均正向电流（IF）为8A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在高电流工作条件下仍能维持较低的导通损耗。反向漏电流（IR）在最大反向电压下仅为20μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的各类电子系统中。
