ISL9N306AD3ST-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。器件在高电流工作条件下表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。适用于开关电源、电池供电设备、电机驱动及高密度功率转换等应用场合，能够在高频开关操作中保持良好的热稳定性和电气性能。
