DMN3009LFVW-13_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧，显著降低导通状态下的功率损耗。其低阻特性使其适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及高频开关电路等场合。在大电流运行条件下，器件能维持较低温升，有助于提升整体系统稳定性与能效表现，同时便于在空间受限的布局中实现高效热管理。
