CSD17578Q5A_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及低至5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其优异的导通特性可有效降低高电流工作时的功率损耗，提升系统效率。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类高效率功率转换电路。N沟道结构便于实现快速开关操作，在紧凑布局中支持良好的热性能与电气性能表现。
