NTMFS4943NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、80A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。其低导通电阻与高电流能力相结合，适用于高效率电源转换、大电流负载开关、同步整流以及电池供电系统中的功率管理等应用。器件在高频开关条件下仍能保持较低的功耗和温升，有助于提升整体电路的能效与可靠性。
