SS33HE3_B/I_SMC_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMC 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:5A 参数2：VR:30V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，具有5A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，有助于在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）为500μA，体现出良好的反向阻断性能。器件可承受高达100A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、低压电源输出、电池充放电管理及对效率和瞬态响应有较高要求的电子电路中。
