NTMS4916NR2G-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和18A的连续漏极电流（ID），在导通状态下其导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达±20V。器件适用于对效率和热性能要求较高的开关应用场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和稳定的电气特性，可广泛用于电源管理、电机驱动及各类电子负载控制等电路中。
