STD90N03L-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压，导通电阻为5毫欧，在高电流应用中可有效降低导通损耗。其电气特性适合用于高频开关场合，能够维持较低的温升与能量损耗。典型应用场景包括开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子装置，尤其适用于对体积和效率有较高要求的设计。
