NTMFS4983NFT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）仅为1.4毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时仍能可靠运行。其超低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，适合用于高效率、大电流的电源管理、电池供电系统及各类直流开关电路中。器件在高频操作下保持良好的开关特性，适用于对热性能与电气稳定性有较高要求的应用场合。
