MBR20100FCT_T0_00101_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在100V反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达175A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景，常见于电源转换、适配器及各类电子设备中的低压大电流路径设计。
