FDD8874_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。在高电流工作条件下，其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率并减少发热。适用于对功率密度和热性能要求较高的场合，如开关电源、电机驱动、电池管理系统及高频同步整流等应用，能够支持紧凑型电路设计与高效能量转换。
