SIS472DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压，导通电阻为7.5毫欧。在典型工作条件下，其低导通电阻有助于有效降低功率损耗，提升系统效率。适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的电源转换、电池管理系统以及各类高效能电子设备中的功率控制环节。器件结构设计兼顾了热稳定性和开关性能，适合对体积与效率有较高要求的应用场景。
