V20200C-E3/4W-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.92V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流为20A，最大反向电压达200V。其正向压降典型值为0.92V，在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗；反向漏电流为20μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源次级侧以及多路输出电源架构中，共阴极结构有助于简化电路布局并提升系统集成度。
